Персоналии

Забродский Андрей Георгиевич

Директор Физико-технического института имени А.Ф.Иоффе. Специалист в области физики полупроводников.

Биография

Родился 26.06.1946 г. В 1970 г. окончил с отличием Ленинградский политехнический институт.

Трудовая деятельность

С 1972 г. научная работа А. Г. Забродского всецело связана с исследованиями в области экспериментальной физики и физики полупроводников в стенах ФТИ, где он прошел путь от аспиранта до директора института (с 2003 г.)

Научные интересы

Научная деятельность А. Г. Забродского в ФТИ началась в секторе, руководимом Ж.И. Алфёровым, с его дипломной работы, посвященной исследованию пространственного излучения созданных в то время гетеролазеров.

Ученый известен своими экспериментальными исследованиями прыжкового электронного транспорта, фазового перехода II-го рода металл-изолятор, электронных и спиновых корреляций в неупорядоченных системах – легированных полупроводниках. С его именем связано открытие роли электронных и спиновых корреляций в этих системах: кулоновско-щелевой природы низкотемпературного изоляторного состояния, эффектов схлопывания кулоновской щели в точке перехода и ее теплового «замытия», обнаружение локально магнитоупорядоченных фаз вблизи перехода металл-изолятор в немагнитных полупроводниках.

Исходя из особенностей кинетики нейтронного трансмутационного легирования природной смеси изотопов германия, сопровождающейся сканированием уровней Ферми состояний в его запрещенной зоне, Забродский А.Г. поставил серию экспериментов на стыке полупроводниковой и ядерной физики, уточнил ядерно-физические постоянные «легирующих» изотопов германия и разработал не имеющий аналогов метод так называемой «фермиуровневой спектроскопии».

Выполнил цикл работ по созданию высокочувствительной бесконтактной диагностики на основе техники ЭПР и ее использованию для исследования кластеров сверхпроводящих, изоляторных и металлических фаз, слабых (в частности, квантовых) магниторезистивных эффектов, локального антиферромагнитного упорядочения донорных спинов вблизи перехода металл-изолятор и регистрации возникающих при этом напряжений кристаллической решетки. В последние годы развивает исследования и разработки в области полупроводниковых и лазерных технологий для задач альтернативной энергетики.

Почетный профессор Санкт-Петербургского государственного политехнического университета, руководит основанной им кафедрой в СПб ГЭТУ; с 1989 г. заведует лабораторией в ФТИ РАН и руководит научной школой. Председатель Ученого совета ФТИ РАН, член Бюро Совета директоров институтов РАН и ряда научных советов РАН, член Президиума СПбНЦ РАН.