Инструменты нанотехнологий

AIX G5 HT. Высокотемпературный нитридный MOCVD реактор

Высокотемпературный планетарный реактор пятого поколения AIX G5 HT от компании AIXTRON для выращивания эпитаксиальных слоев нитрида галия. Доступны конфигурации на 56x2” или 14x4” или 8x6” подложек.

Система на платформе MOCVD нового поколения показала высочайшее качество выращивания слоев GaN при очень больших скоростях роста и при высоком давлении (свыше 600 мбар), а также превосходную однородность слоев GaN/InGaN.

Реактор MOCVD на платформе нового поколения AIX G5 HT вмещает абсолютно рекордное количество подложек (56x2” или 14x4” или 8x6”) и имеет революционные особенности дизайна реактора, позволяющие работать на больших скоростях роста и осуществлять последовательные ростовые циклы без отжига реактора и замены каких-либо деталей. Все это обеспечивает высочайшее качество продукции при более чем удвоенной производительности по сравнению с предыдущими поколениями реакторов.

Реактор новой конструкции обладает высокой гибкостью ростового процесса при превосходной стабильности. Системы AIX G5 HT обеспечивают наименьшее время производства при высокой воспроизводимости от реактора к реактору, что ускоряет расширение производства по сравнению с любыми другими реакторами путем простого копирования рецепта при переносе процесса. Это является ключевым фактором в условиях быстро расширяющегося спроса при ограниченном количестве специалистов-технологов.

Нитриды 3-й группы Периодической системы благодаря своим свойствам являются лидирующим материалом для изготовления сверхярких синих, зеленых, ультрафиолетовых и белых светодиодов, а также синих/фиолетовых лазерных диодов. Благодаря своей физической и радиационной стойкости, химической стабильности и инертности они идеально подходят для применений в космическом пространстве, при высоких температурах, высоких давлениях, высоких мощностях. На их основе созданы солнечно-слепые фотодетекторы, биологические и химические сенсоры, различные типы транзисторов с высоким напряжением пробоя и др.

В настоящее время MOCVD технология является ключевой промышленной технологией получения эпитаксиальных гетероструктур для указанных выше приборов и применений.

Информация предоставлена ООО «Сигм плюс»

Отправить сообщение представителю компании

2 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Z А Б В Г Д Е И К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Э ВСЕ