Сортировать: по рейтингу | по названию | по дате поступления | по популярности

Оборудование

МОС-гидридная эпитаксия

Химическое осаждение из газовой фазы с использованием металлорганических соединений или МОС-гидридная эпитаксия (анг. Metalorganic chemical vapour deposition MOCVD) — метод получения материалов, в том числе эпитаксиального роста полупроводников, путём термического разложения (пиролиза) металлорганических соединений, содержащих необходимые химические элементы.

В отличие от молекулярно-лучевой эпитаксии рост осуществляется не в высоком вакууме, а из парогазовой смеси пониженного давления (от 2 до 100 кПа).

4

AIX G5 HT. Высокотемпературный нитридный MOCVD реактор

Производитель: AIXTRON AG (Германия)

Поставщик: ООО «Сигм плюс»

Рубрикатор: МОС-гидридная эпитаксия

Ключевые слова: MOCVD, мосгидридная эпитаксия, GaN, нитрид галия, сверхяркие светодиоды

Высокотемпературный планетарный реактор пятого поколения AIX G5 HT от компании AIXTRON для выращивания эпитаксиальных слоев нитрида галия. Доступны конфигурации на 56x2” или 14x4” или 8x6” подложек.

2 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Z А Б В Г Д Е И К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Э ВСЕ