Инструменты нанотехнологий
Сортировать: по рейтингу | по названию | по дате поступления | по популярности
Оборудование
Химическое осаждение из газовой фазы с использованием металлорганических соединений или МОС-гидридная эпитаксия (анг. Metalorganic chemical vapour deposition MOCVD) — метод получения материалов, в том числе эпитаксиального роста полупроводников, путём термического разложения (пиролиза) металлорганических соединений, содержащих необходимые химические элементы.
В отличие от молекулярно-лучевой эпитаксии рост осуществляется не в высоком вакууме, а из парогазовой смеси пониженного давления (от 2 до 100 кПа).
Производитель: Mantis Deposition (United Kingdom)
Поставщик: Экситон Аналитик, ООО
Рубрикатор: Молекулярно-лучевая эпитаксия, МОС-гидридная эпитаксия, Аналитические системы, Научно-исследовательские комплексы, Синтез наноматериалов, Ионно-лучевая обработка, Магнетронное напыление, Плазмохимическое травление, Реактивное ионное травление, Плазмохимическоe осаждение из газовой фазы, Плазмохимическоe осаждение с источником индуктивно-связанной плазмы, Атомно-слоевое осаждение, Оборудование планарных технологий
Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия
ООО «Экситон Аналитик» предлагает систему молекулярно-лучевой эпитаксии Mantis Deposition M600 для нанесения тонких пленок.
Производитель: Mantis Deposition (United Kingdom)
Поставщик: Экситон Аналитик, ООО
Рубрикатор: Молекулярно-лучевая эпитаксия, МОС-гидридная эпитаксия, Аналитические системы, Научно-исследовательские комплексы, Синтез наноматериалов, Ионно-лучевая обработка, Магнетронное напыление, Плазмохимическое травление, Реактивное ионное травление, Плазмохимическоe осаждение из газовой фазы, Плазмохимическоe осаждение с источником индуктивно-связанной плазмы, Атомно-слоевое осаждение, Оборудование планарных технологий
Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия
ООО «Экситон Аналитик» предлагает систему молекулярно-лучевой эпитаксии Mantis Deposition NanoSys500 для выращивания тонких пленок.
Производитель: AIXTRON AG (Германия)
Поставщик: ООО «Сигм плюс»
Рубрикатор: МОС-гидридная эпитаксия
Ключевые слова: MOCVD, мосгидридная эпитаксия, GaN, нитрид галия, сверхяркие светодиоды
Высокотемпературный планетарный реактор пятого поколения AIX G5 HT от компании AIXTRON для выращивания эпитаксиальных слоев нитрида галия. Доступны конфигурации на 56x2” или 14x4” или 8x6” подложек.