Инструменты нанотехнологий

SI 500 PTSA ICP Plasma Etcher. Установка реактивно-ионного травления в индуктивно-связанной плазме ICP-RIE

Система травления SI 500 PTSA ICP plasma etcher предназначена для использования в НИОКР для реализации процессов высокоскоростного сухого плазменного травления кремния (в том числе Bosh-процесс), диэлектриков и полупроводниковых структур (особенно III/V и микрооптики) и наноструктур в индуктивно-связанной плазме.

Установка травления SI 500 PTSA ICP plasma etcher с источником индуктивно связанной плазмы может быть использована в широком диапазоне плазменных процессов — от обычного реактивного ионного травления до процессов в плазме высокой плотности. Установка SI 500 разработана для использования в пилотных производствах и НИОКР.

Основные преимущества системы травления SI 500

  • Превосходная однородность, прекрасная воспроизводимость при травлении
  • Возможность травления структур с наноразмерами
  • Высокая скорость травления
  • Низкий уровень повреждений
  • Высокое аспектное отношение PTSA — (P)lanar (T)riple (S)piral (A)ntenna
  • Планарный источник ICP
  • Вакуумный загрузочный шлюз
  • Гелиевое охлаждение подложки
  • Операции контролируются компьютером
  • Применение для III/V, микрооптика, микросистемы, СВЧ, нанотехнологии
  • Программное обеспечение SENTECH Software
  • Диаметр обрабатываемых пластин до 200мм
  • Установка через стену (опция)
  • Интерферометр (определение скорости травления, окончания процесса - endpoint detection)

Отличительные особенности системы SI 500

Отличительной особенностью системы SI 500 является:

  • запатентованный источник индуктивно связанной плазмы ICP-PTSA 200 (плоская тройная спиральная антенна), специально подходящий для травления с низким повреждением структуры;
  • электрод подложки с гелиевым охлаждением и динамическим контролем температуры для поддержания постоянной температуры независимо от мощности плазмы;
  • вакуумная система, позволяющая обеспечивать высокую производительность, требуемую для процессов травления;
  • магнито-пневматический загрузочный шлюз для высочайшей надежности при загрузке/ выгрузке пластин.

Все важнейшие параметры системы контролируются автоматически.

Конфигурация системы
PTSA ICP источник (13,56 МГц, 1200 Вт) с автоматической согласующей системой
Источник ВЧ смещения (13,56 МГц, 600 Вт.)
Система распыления реакционного газа втроенная в PTSA источник
Высокопроизводительная вакуумная система с контролем давления независимого от натекания газа
Вакуумный загрузочный шлюз
Изолированный охлаждаемый или нагреваемый (-30°C up to 250°C) электрод для работы с пластинами или держателями диаметром до 200 мм (2, 3, 4, 6 дюймов, кусочки)
Гелиевое охлаждение обратной стороны пластины, механически прижим
Динамический контроль температуры
Удаленный контроль
Управление под операционной системой Windows XP
Программное обеспечение SENTECH для управления процессами и всеми узлами системы
Опции
Добавочные газовые линии для коррозионных и не коррозионных газов
Кварцевое окошечко для лазерного интерферометра (через источник PTSA)
Термостат охладитель (-30°С...80°С)
Кассетная станция (cassette to cassette)
Установка через стену (Through-the-wall installation)
Интерферометр (определение скорости травления, окончания процесса — endpoint detection)
Оптическая эмиссионная спектрометрия (NanoMES 2.0)
Кластерная конфигурация (до 3-х реакторов в кластере)

Информация предоставлена МИНАТЕХ, ООО

Отправить сообщение представителю компании

2 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Z А Б В Г Д Е И К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Э ВСЕ