Каталог разработок

Эпитаксиальные гетероструктуры арсенида галлия-алюминия для излучателей ближнего ик-диапазона

Поставщик: КБИ «Материалы и компоненты электроники», АНО, МеГа Эпитех, ООО Ключевые слова: наноэлектроника, арсенид галлия, гетероструктуры Регион: Калужская область

ООО «МеГа Эпитех» разрабатывает полупроводниковые гетероструктуры на основе соединений алюминия-галлия-мышьяка для ИК-излучателей систем телекоммуникации, медицинской и автомобильной электроники.

В ООО «МеГа Эпитех» разработана технология жидкофазной эпитаксии и организовано производство полупроводниковых гетероструктур на основе соединений алюминия-галлия-мышьяка диаметром 50 мм для излучающих диодов инфракрасного диапазона спектра с повышенным квантовым выходом.

Описание продукта

Полупроводниковые гетероструктуры на основе соединений алюминия-галлия-мышьяка диаметром 50 мм для ИК-излучателей систем телекоммуникации, медицинской и автомобильной электроники.

Маркетинг продукта

Продукт не имеет аналогов в России и превосходит по соотношению цена/качество зарубежные аналоги.

Основными потребителями продукта являются производители оптоэлектронных компонентов Западной Европы (Германии).

Текущая стадия разработки

Завершен инновационный проект, организовано производство, осуществляются поставки продукции по экспортным контрактам.

Финансовый план

  • Проект завершен.
  • Инвестиции не требуются.
  • В результате выполнения инновационного проекта разработан комплект технологической документации и ТУ, организован производственный участок жидкофазной эпитаксии полупроводниковых гетероструктур на основе соединений алюминия-галлия-мышьяка диаметром 50 мм; заключены экспортные контракты на поставку продукции фирмам Германии; производятся поставки продукции.
  • Экономический эффект от выполнения проекта может быть оценен после выхода производственного участка на запланированные мощности.

Права интеллектуальной собственности

Ведется проработка возможности патентования ряда технических решений.

  • Теги