Российская национальная нанотехнологическая сеть

Запомнить меня / Регистрация / Забыли пароль?
Поиск
Войти
Регистрация
Написать письмо
Карта сайта

Каталог разработок

Главная страница / Каталог разработок / Гетероструктуры для приборов силовой электроники

Эпитаксиальные гетероструктуры арсенида галлия для компонентов силовой электроники

Поставщик: КБИ «Материалы и компоненты электроники», АНО Ключевые слова: наноэлектроника, арсенид галлия, гетероструктуры Регион: Калужская область

ООО «Аргал» производит полупроводниковые гетероструктуры на основе арсенида галлия для высокотемпературных p-i-n диодов.

В ООО «Аргал» разработана технология жидкофазной эпитаксии и организовывается производство полупроводниковых гетероструктур на основе арсенида галлия диаметром 50—76 мм для приборов силовой электроники.

Описание продукта

Полупроводниковые гетероструктуры на основе арсенида галлия диаметром 50—76 мм для высокотемпературных p-i-n диодов.

Маркетинг продукта

Продукт не имеет аналогов в мире и превосходит по техническим характеристикам выпускаемые в настоящее время за рубежом аналогичные приборы на SiC.

Текущая стадия разработки

Выполняется инновационный проект. Разрабатывается технологический процесс и комплект технологической документации. Изготовлены опытные партии продукта.

Потенциальный потребитель — отечественные и зарубежные фирмы — производители компонентов силовой электроники.

Финансовый план

В результате выполнения инновационного проекта будет разработана технология, комплект технологической документации и ТУ, организован производственный участок жидкофазной эпитаксии гетероструктур арсенида галлия диаметром 50—76 мм для высокотемпературных p-i-n диодов.
Сроки завершения проекта — апрель 2011 г.
Разработка осуществляется на собственные средства, инвестиции не требуются.
Экономический эффект от выполнения проекта может быть оценен после начала производства и выхода производственного участка на запланированные мощности.