Каталог разработок
Поставщик: МеГа Эпитех, ООО Ключевые слова: наноэлектроника, арсенид галлия, гетероструктуры, светодиоды Регион: Калужская область
Разработка технологии и освоение производства эпитаксиальных гетероструктур методом жидкофазной эпитаксии для приборов ночного видения III+ поколения.
Проект ООО «МеГа Эпитех» посвящен разработке технологии жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ) и освоению производства полупроводниковых гетероструктур на основе соединений алюминия-галлия-мышьяка для экранов фотоэлектронных преобразователей приборов ночного видения третьего поколения с высокой чистотой поля зрения и интегральной чувствительностью до 2 000 мкА/лм.
Полупроводниковые гетероструктуры на основе соединений алюминия-галлия-мышьяка для экранов фотоэлектронных преобразователей приборов ночного видения третьего поколения с высокой чистотой поля зрения и интегральной чувствительностью до 2 000 мкА/лм.
Конкурентное преимущество — существенно более высокое качество продукции, позволяющее потребителю повысить технико-экономические показатели производства приборов.
Инновационный проект выполнен на основе проведенных маркетинговых исследований. Потенциальные потребители — приборные предприятия Российского оборонного комплекса.
Потенциальный объем рынка — 25–30 тыс. гетероструктур/год.
Наименование показателей | Значение показателей |
Диаметр гетероструктуры, мм | 39.5 (+0,5; –1,0) |
Кристаллографическая ориентация | (100) ± 30 угл. мин. |
Конструкция гетероструктуры: | |
толщина стопорного слоя, мкм | 4,5 ±1,0 |
толщина активной области, мкм | 2,5 ±0,3 |
толщина буферного слоя, мкм | 3,0 ±1,0 |
Требования к качеству поверхности | |
|
|
Требования к дефектности структуры в ИК-изображении | |
допустимые дефекты в поле зрения, размер, мм/число, шт., не более | |
в зоне 0–2 мм | 0 |
в зоне 2–9 мм | 0,05/1 |
в зоне 9–14 мм | 0,135/1 |
в зоне 14–18 мм | 0,225/1 |
Основные параметры фоточувствительности | |
интегральная чувствительность, мкА/лм | до 2 000 |
неоднородность интенсивности ФЛ, СКО, %, не более | 5 |
Карточка организации: