Каталог разработок

B C D F L P Q R S А Б В Г Д Е З И К Л М Н О П Р С Т У Ф Ц Э Я Весь каталог Все проекты РОСНАНО

Сортировать: по названию | по дате поступления | по популярности

Поиск по названию

Разработки на букву «Э»

Электротехнические Cu-Nb наноструктурированные провода с аномально высокими прочностью и электропроводностью

Организация: ВНИИНМ. ОАО ВНИИ неорганических материалов им. А.А.Бочвара

Ключевые слова: провода, кабели, нанокомпозиты, медь, ниобий

Новый класс технических высокопрочных, высокоэлектропроводных композиционных материалов с нанометрическим уровнем дисперсности микроструктуры. Медно-ниобиевые провода ВНИИНМ лидируют среди подобных нанокомпозитов, изготавливаемых фирмами других стран (США, Японии, Франции).

Энергосберегающее стекло. Создание предприятия по производству высококачественного стекла со специальным покрытием

Организация: РОСНАНО, ОАО, СТиС, ГК, Европейский банк реконструкции и развития (ЕБРР), NSG Group (Pilkington)

Ключевые слова: РОСНАНО, нанотехнологии, наноматериалы, энергосберегающее стекло

Проект предусматривает создание предприятия по производству высококачественного стекла со специальным покрытием.

Эпитаксиальные гетероструктуры арсенида галлия для компонентов силовой электроники

Организация: КБИ «Материалы и компоненты электроники», АНО, ООО «Аргал»

Ключевые слова: наноэлектроника, арсенид галлия, гетероструктуры

ООО «Аргал» производит полупроводниковые гетероструктуры на основе арсенида галлия для высокотемпературных p-i-n диодов.

Эпитаксиальные гетероструктуры арсенида галлия-алюминия для излучателей ближнего ик-диапазона

Организация: КБИ «Материалы и компоненты электроники», АНО, МеГа Эпитех, ООО

Ключевые слова: наноэлектроника, арсенид галлия, гетероструктуры

ООО «МеГа Эпитех» разрабатывает полупроводниковые гетероструктуры на основе соединений алюминия-галлия-мышьяка для ИК-излучателей систем телекоммуникации, медицинской и автомобильной электроники.

Эпитаксиальные гетероструктуры арсенида галлия-алюминия для светодиодов специального назначения

Организация: КБИ «Материалы и компоненты электроники», АНО, МеГа Эпитех, ООО

Ключевые слова: наноэлектроника, арсенид галлия, гетероструктуры, светодиоды

ООО «МеГа Эпитех» разрабатывает полупроводниковые гетероструктуры на основе соединений алюминия-галлия-мышьяка для излучающих диодов специального назначения.

Эпитаксиальные гетероструктуры для приборов ночного видения III+ поколения. Разработка технологии и освоение производства

Организация: МеГа Эпитех, ООО

Ключевые слова: наноэлектроника, арсенид галлия, гетероструктуры, светодиоды

Разработка технологии и освоение производства эпитаксиальных гетероструктур методом жидкофазной эпитаксии для приборов ночного видения III+ поколения.

Проекты, одобренные РОСНАНО

Все проекты РОСНАНО

Последние поступления

Новости от RedTram

Поиск разработок

B C D F L P Q R S А Б В Г Д Е З И К Л М Н О П Р С Т У Ф Ц Э Я ВСЕ
  • Теги

арсенид галлия безопасность биотехнологии гетероструктуры инвестирование инвестиции медицина нанобетон нанобиотехнологии нанокерамика нанокомпозиты наноматериалы наномедицина нанопокрытия нанопорошки наноструктурированные материалы нанотехнологии наноэлектроника НТЦ Прикладных Нанотехнологий оптоэлектроника РОСНАНО светодиоды солнечная энергетика солнечные батареи строительство углеродные нанотрубки фармацевтика фонд электроника энергетика