Новости

Высокоэффективные источники излучения для кремниевой оптоэлектроники и нанофотоники

30 апреля 2021 Рубрика: Новости организаций Ключевые слова: ИПФ РАН, источники излучения, кремний, нанофотоника, фотонные кристаллы, кремниевые подложки

Новый подход к увеличению эффективности источников излучения на кремнии предложен российскими учеными, объединившими свои усилия для решения этой актуальной задачи.

В настоящее время компактные эффективные источники излучения востребованы в различных областях современной фотоники. Но особенно остро в них нуждаются кремниевая оптоэлектроника и нанофотоника. Кремний уже более 50 лет является основным материалом для интегральной электроники. Но его использованию в качестве источника излучения препятствует непрямой характер строения его энергетических зон. В то же время создание на кремнии источников излучения позволило бы объединить достоинства интегральных электронных схем обработки информации и быстродействующих оптоволоконных линий ее передачи.

Коллектив авторов, в который вошли ученые из Института физики микроструктур РАН — филиала ИПФ РАН, Нижегородского государственного университета, Сколтеха, ИОФ РАН, ИТМО и МГУ, предложил для создания источников излучения на кремнии использовать высокодобротные состояния электромагнитного поля в двумерных фотонных кристаллах. Несмотря на то что такие состояния находятся в непрерывном спектре (континууме), они характеризуются низкими радиационными потерями. В физике эти состояния получили отдельное название — связанные состояния в континууме, или «bound states in the continuum» (BIC).

Несмотря на то что BIC были впервые предсказаны в квантовой механике около века назад, обнаружение и активное их изучение в оптике началось только в последнее десятилетие. Пристальное внимание, уделяемое BIC в оптике, объясняется множеством их потенциальных применений.

Авторами работы впервые проведен детальный теоретический анализ собственных мод фотонного кристалла с гексагональной решеткой типа пчелиных сот, который позволил выделить высокодобротные BICs моды. Они также экспериментально показали, что взаимодействие излучения германиевых квантовых точек, сформированных на кремнии, с BICs состояниями приводит к росту максимальной интенсивности сигнала люминесценции квантовых точек более чем в 100 раз, а интегральной интенсивности — более чем в 10 раз.

Предложенный авторами подход, основанный на использовании высокодобротных мод фотонных кристаллов с гексагональной симметрией, открывает новые возможности для создания компактных, эффективных источников излучения, в том числе тех, технология формирования которых совместима с кремниевой интегральной технологией. Такие источники излучения найдут широкое применение в оптоэлектронике, различных биологических приложениях, оптических сенсорах химических элементов и т.д.

В ближайших планах команды авторов — реализация электрической накачки структур с германиевыми квантовыми точками, встроенных в фотонные кристаллы.Результат опубликован в статье «Photonic bound states in the continuum in Si structures with the self-assembled Ge nanoislands» в журнале Laser&Photoncs Reviews (импакт-фактор в Web of Science — 10,6).

Коллектив авторов:
Дьяков С.А. и Гиппиус Н.А. (Сколтех); Новиков А.В. и Красильник З.Ф. (ИФМ РАН и ННГУ); Степихова М.В., Юрасов Д.В. и Шалеев М.В. (ИФМ РАН); Богданов А.А. (университет ИТМО); Тиходеев С.Г. (МГУ и ИОФ РАН).

Информация и фото предоставлены пресс-службой ИПФ РАН

Добавить комментарий

  • 31
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 6
  • 7
  • 8
  • 9
  • 10
  • 11
  • 12
  • 13
  • 14
  • 15
  • 16
  • 17
  • 18
  • 19
  • 20
  • 21
  • 22
  • 23
  • 24
  • 25
  • 26
  • 27
  • 28
  • 29
  • 30
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4